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景春梅:新型能源体系建设期待绿氢应用展新局

分类:家居设计发布时间:2025-07-01 12:49:09浏览量:8

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图3DOS和载流子分布图a)Zn3C2,梅新b)Hg3C2,c)Cd3C2,d)T-VTe2,E)H-VTe2和f)H-TaTe2的DOS(E)和n(E)关系。图2第一性原理计算(DOS)a-b)DOS沿传输方向投射到石墨烯CS-FET上,型能系建新局用于a)开态和b)关态器件。

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源体用展【图文简介】图1石墨烯CS-FET模型a)n型InSe基石墨烯CS-FET的侧视图。等效氧化物厚度(EOT=0.54nm)、设期栅极长度(L=7.8nm)和电源电压(VSD=0.74V)根据2021国际半导体技术路线图(ITRS)对高性能晶体管进行参数化。然而,待绿由于不可避免的化学无序和缺陷诱导的带隙态,待绿传统的金属:半导体(MS)界面通常遭受强费米尔钉扎,从而限制了栅的可调控性【研究简介】近日,清华大学精密仪器系李黄龙副教授(通讯作者)及其博士后吕娟(第一作者)在Adv.Mater.上发表了一篇题目为ANewOpportunityfor2DvanderWaalsHeterostructures:MakingSteep-SlopeTransistors的研究成果。

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e)放大能量区的DOS(e)和n(e),景春在该区域附近,SS=57mVdec-1的最陡斜率出现。图5器件工作状态下能带分析a-b)T-VTe2CS-FET的PLDOS,梅新a)开状态和b)关状态。

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插图显示了松弛的原子结构,型能系建新局绿色和橙色的球分别代表V原子和Te原子。

作为测试案例,源体用展研究者研究了具有原始石墨烯、掺杂石墨烯、Cd3C2、T-VTe2、H-VTe2和H-TaTe2CSs的高迁移率单层InSe基n型场效应晶体管。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读,设期投稿邮箱[email protected]

到目前为止,待绿作为发射体来实现高效无掺杂蓝色OLEDs的纯蓝色发光剂,同时作为构建高CRI的高性能WOLEDs的主要器件的纯蓝色发光剂还很少见。然而,景春一系列挑战和关键问题仍未解决。

梅新【图文导读】图1 TPAATPE和PPIATPE的光谱表征(a,b)TPAATPE和PPIATPE在稀释THF溶液(a)和纯薄膜(b)中的紫外-可见吸收光谱和PL光谱。基于TPAATPE的非掺杂器件显示稳定的纯蓝光,型能系建新局其CIE坐标为(0.15,0.16),最大EQE为6.97%。